晶圆膜厚量测设备

搭配SE+SR两种测量模式

波长范围广，支持190nm ~ 1100nm

测量范围广，1nm-100μm

测量层数多，1~10层

重复精度高，0.03nm

测量速度快，<1s/点

配对SE+SR测量模式

波长范围宽，支持190nm~1100nm

测量范围宽，1nm-100 μ m

多测量层，1-10层

重复精度高，0.03nm

测量速度快，<1s/点

参数配置

搭载SE椭偏仪和SR分光干涉测厚仪

配合高精度相机引导定位，实时观测

搭配双端口或多端口 EFEM单元对接OHT&AMR实现全自动上下料

配备SE椭偏仪和SR光谱干涉仪测厚仪

配合高精度相机引导进行定位和实时观察

与双端口或多端口 EFEM单元配对，与OHT&AMR对接，实现全自动上下料

功能描述

适用产品：半导体8/12寸有图形晶圆

适用工艺段：薄膜沉积、光刻胶、激光开槽、划片切割等

功能说明：

1.EFEM单元支持FOSB/FOUP/OC等人工或OHT上料

2.高清相机引导定位

3.SE/SR 模式切换，自动测量膜厚度、光学常数

适用产品：半导体8/12英寸图案化晶圆

适用工艺段：薄膜沉积、光刻胶、激光开槽、晶圆切割等

功能说明：

1.EFEM单元支持FOSB/FOUP/OC

等手动或OHT自动送料2. 高清摄像头引导定位

3.SE/SR 模式切换，自动测量薄膜厚度和光学常数